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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFHS8342TR2PBF
International Rectifier
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFHS8342TR2PBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRFHS8342TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFHS8342TR2PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-PowerVDFN
Datenblatt
IRFHS8342TR2PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3970

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Anzahl

Spezifikation

IRFHS8342TR2PBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRFHS8342TR2PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRFHS8342TR2PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-6  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 8.5A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 6-PowerVDFN  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.8A (Ta), 19A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRFHS8342TR2PBF.

Produkteigenschaften IRFHS8342TR2PBF IRFHS8242TRPBF IRFHM9391TRPBF IRFHS8342TRPBF
Artikelnummer IRFHS8342TR2PBF IRFHS8242TRPBF IRFHM9391TRPBF IRFHS8342TRPBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-6 6-PQFN (2x2) (DFN2020) 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 PG-TSDSON-6
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V 10.4 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 8.7 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 25 V 30 V 30 V
FET-Merkmal - - - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 8.5A, 10V 13mOhm @ 8.5A, 10V 14.6mOhm @ 11A, 10V 16mOhm @ 8.5A, 10V
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.8A (Ta), 19A (Tc) 9.9A (Ta), 21A (Tc) 11A (Ta) 8.8A (Ta), 19A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 25 V 653 pF @ 10 V 1543 pF @ 25 V 600 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.4V @ 25µA 2.35V @ 25µA
Verpackung / Gehäuse 6-PowerVDFN 6-PowerVDFN 8-PowerTDFN 6-PowerVDFN

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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