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IRFS7537TRLPBF Image
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IRFS7537TRLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFS7537TRLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS7537TRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRFS7537TRLPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 26125

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Anzahl

Spezifikation

IRFS7537TRLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFS7537TRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFS7537TRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 230W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7020 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 173A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFS7537  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFS7537TRLPBF.

Produkteigenschaften IRFS7537TRLPBF IRFS7540TRLPBF IRFS7530TRLPBF IRFS7734TRL7PP
Artikelnummer IRFS7537TRLPBF IRFS7540TRLPBF IRFS7530TRLPBF IRFS7734TRL7PP
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 173A (Tc) 110A (Tc) 195A (Tc) 197A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7020 pF @ 25 V 4555 pF @ 25 V 13703 pF @ 25 V 10130 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 230W (Tc) 160W (Tc) 375W (Tc) 294W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-3 PG-TO263-3 PG-TO263-2 PG-TO263-7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 100A, 10V 5.1mOhm @ 65A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 3.05mOhm @ 100A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V 75 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 150µA 3.7V @ 100µA 3.7V @ 250µA 3.7V @ 150µA
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer IRFS7537 IRFS7540 IRFS7530 -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 411 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V

IRFS7537TRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFS7537TRLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFS7537TRLPBF - Infineon Technologies herunter.

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