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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFS7534TRLPBF
Infineon Technologies
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IRFS7534TRLPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFS7534TRLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS7534TRLPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Datenblatt
IRFS7534TRLPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 12785

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Anzahl

Spezifikation

IRFS7534TRLPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFS7534TRLPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFS7534TRLPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-7  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 294W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10034 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 279 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFS7534  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFS7534TRLPBF.

Produkteigenschaften IRFS7534TRLPBF IRFS7730TRLPBF IRFS7540TRLPBF IRFS7730PBF
Artikelnummer IRFS7534TRLPBF IRFS7730TRLPBF IRFS7540TRLPBF IRFS7730PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Tc) 195A (Tc) 110A (Tc) 195A (Tc)
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10034 pF @ 25 V 13660 pF @ 25 V 4555 pF @ 25 V 13660 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 75 V 60 V 75 V
Verlustleistung (max) 294W (Tc) 375W (Tc) 160W (Tc) 375W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA 3.7V @ 250µA 3.7V @ 100µA 3.7V @ 250µA
Grundproduktnummer IRFS7534 IRFS7730 IRFS7540 -
Supplier Device-Gehäuse PG-TO263-7 D²PAK (TO-263AB) PG-TO263-3 D²PAK (TO-263AB)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V 6V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 279 nC @ 10 V 407 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 407 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 100A, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V 5.1mOhm @ 65A, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V

IRFS7534TRLPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFS7534TRLPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFS7534TRLPBF - Infineon Technologies herunter.

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