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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFS7534TRL7PP
Infineon Technologies
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IRFS7534TRL7PP - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFS7534TRL7PP
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFS7534TRL7PP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Datenblatt
IRFS7534TRL7PP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13712

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Anzahl

Spezifikation

IRFS7534TRL7PP Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFS7534TRL7PP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFS7534TRL7PP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead)  
Serie HEXFET®, StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 290W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9990 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 240A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFS7534  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFS7534TRL7PP.

Produkteigenschaften IRFS7534TRL7PP IRFS7530TRLPBF IRFS7730-7PPBF IRFS7537PBF
Artikelnummer IRFS7534TRL7PP IRFS7530TRLPBF IRFS7730-7PPBF IRFS7537PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 240A (Tc) 195A (Tc) 240A (Tc) 173A (Tc)
Verlustleistung (max) 290W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc) 230W (Tc)
Grundproduktnummer IRFS7534 IRFS7530 - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V - 6V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 411 nC @ 10 V 428 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9990 pF @ 25 V 13703 pF @ 25 V 13970 pF @ 25 V 7020 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95mOhm @ 100A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 2mOhm @ 100A, 10V 3.3mOhm @ 100A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 75 V 60 V
FET-Merkmal - - - -
Serie HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET®, StrongIRFET™
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead) PG-TO263-2 D2PAK D2PAK
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA 3.7V @ 250µA 3.7V @ 250µA 3.7V @ 150µA

IRFS7534TRL7PP Datenblatt PDF

Laden Sie IRFS7534TRL7PP PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFS7534TRL7PP - Infineon Technologies herunter.

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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