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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFU1010Z
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFU1010Z - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFU1010Z
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU1010Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRFU1010Z.pdf
vorrätig: 4790

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Anzahl

Spezifikation

IRFU1010Z Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFU1010Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFU1010Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 42A, 10V  
Verlustleistung (max) 140W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFU1010Z.

Produkteigenschaften IRFU1010Z IRFU110 IRFU024NPBF IRFU1010ZPBF
Artikelnummer IRFU1010Z IRFU110 IRFU024NPBF IRFU1010ZPBF
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies International Rectifier
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 100 V 55 V 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V 180 pF @ 25 V 370 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc) 4.3A (Tc) 17A (Tc) 42A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA) TO-251AA IPAK (TO-251AA) IPAK (TO-251AA)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 140W (Tc) 25W (Tc) 45W (Tc) 140W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 42A, 10V 540mOhm @ 900mA, 10V 75mOhm @ 10A, 10V 7.5mOhm @ 42A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA

IRFU1010Z Datenblatt PDF

Laden Sie IRFU1010Z PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFU1010Z - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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