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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFU1018EPBF
International Rectifier
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IRFU1018EPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRFU1018EPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU1018EPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 56A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRFU1018EPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 73610

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Anzahl

Spezifikation

IRFU1018EPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRFU1018EPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRFU1018EPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 47A, 10V  
Verlustleistung (max) 110W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2290 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 56A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRFU1018EPBF.

Produkteigenschaften IRFU1018EPBF IRFU110 IRFU1205PBF IRFU1205
Artikelnummer IRFU1018EPBF IRFU110 IRFU1205PBF IRFU1205
Hersteller International Rectifier Vishay Siliconix International Rectifier Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 56A (Tc) 4.3A (Tc) 44A (Tc) 44A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paket Bulk Tube Bulk Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 47A, 10V 540mOhm @ 900mA, 10V 27mOhm @ 26A, 10V 27mOhm @ 26A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA) TO-251AA IPAK (TO-251) IPAK (TO-251AA)
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2290 pF @ 50 V 180 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 110W (Tc) 25W (Tc) 107W (Tc) 107W (Tc)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 100 V 55 V 55 V

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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