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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFU110
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFU110 - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRFU110
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU110
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRFU110, SiHFU110.pdf
vorrätig: 4790

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Spezifikation

IRFU110 Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRFU110 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRFU110

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-251AA  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 900mA, 10V  
Verlustleistung (max) 25W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFU1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRFU110.

Produkteigenschaften IRFU110 IRFU024PBF IRFU1010ZPBF IRFU120ATU
Artikelnummer IRFU110 IRFU024PBF IRFU1010ZPBF IRFU120ATU
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix International Rectifier Fairchild Semiconductor
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 25W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 140W (Tc) 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A (Tc) 14A (Tc) 42A (Tc) 8.4A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Serie - - HEXFET® -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-251AA TO-251AA IPAK (TO-251AA) I-PAK
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 60 V 55 V 100 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 900mA, 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V 7.5mOhm @ 42A, 10V 200mOhm @ 4.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IRFU1 IRFU024 - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 250µA

IRFU110 Datenblatt PDF

Laden Sie IRFU110 PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRFU110 - Vishay Siliconix herunter.

Datenblätter
IRFU110, SiHFU110.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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