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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFU1010ZPBF
International Rectifier
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IRFU1010ZPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRFU1010ZPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFU1010ZPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
IRFU1010ZPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 84180

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Anzahl

Spezifikation

IRFU1010ZPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRFU1010ZPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRFU1010ZPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 42A, 10V  
Verlustleistung (max) 140W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRFU1010ZPBF.

Produkteigenschaften IRFU1010ZPBF IRFU020PBF IRFU110PBF IRFU1205
Artikelnummer IRFU1010ZPBF IRFU020PBF IRFU110PBF IRFU1205
Hersteller International Rectifier Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 60 V 100 V 55 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2840 pF @ 25 V 640 pF @ 25 V 180 pF @ 25 V 1300 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 42A (Tc) 14A (Tc) 4.3A (Tc) 44A (Tc)
Serie HEXFET® - - HEXFET®
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 140W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 25W (Tc) 107W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse IPAK (TO-251AA) TO-251AA TO-251AA IPAK (TO-251AA)
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 42A, 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V 540mOhm @ 900mA, 10V 27mOhm @ 26A, 10V

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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