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IRL3803VSPBF Image
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IRL3803VSPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL3803VSPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL3803VSPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IRL3803VSPbF(LPbF).pdf
RoHS Status
vorrätig: 4780

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Anzahl

Spezifikation

IRL3803VSPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL3803VSPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL3803VSPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 71A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3720 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 140A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL3803VSPBF.

Produkteigenschaften IRL3803VSPBF IRL510 IRL40B215 IRL40SC209
Artikelnummer IRL3803VSPBF IRL510 IRL40B215 IRL40SC209
Hersteller Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4V, 5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±16V ±10V ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 4.5 V 6.1 nC @ 5 V 84 nC @ 4.5 V 267 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® - HEXFET®, StrongIRFET™ StrongIRFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 71A, 10V 540mOhm @ 3.4A, 5V 2.7mOhm @ 98A, 10V 0.8mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 43W (Tc) 143W (Tc) 375W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 100 V 40 V 40 V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK TO-220AB TO-220AB D2PAK (7-Lead)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3720 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 5225 pF @ 25 V 15270 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 140A (Tc) 5.6A (Tc) 120A (Tc) 478A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 100µA 2.4V @ 250µA

IRL3803VSPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL3803VSPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL3803VSPBF - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Baugruppe/Herkunft
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Datenblätter
IRL3803VSPbF(LPbF).pdf

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