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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL510PBF
Vishay Siliconix
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRL510PBF - Vishay Siliconix

Hersteller Artikelnummer
IRL510PBF
Hersteller
Vishay / Siliconix
Allelco Artikelnummer
32D-IRL510PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRL510PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 58780

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Anzahl

Spezifikation

IRL510PBF Tech -Spezifikationen
Vishay Siliconix - IRL510PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Vishay Siliconix - IRL510PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 3.4A, 5V  
Verlustleistung (max) 43W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.6A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL510  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Vishay Siliconix IRL510PBF.

Produkteigenschaften IRL510PBF IRL510L IRL40SC228 IRL520
Artikelnummer IRL510PBF IRL510L IRL40SC228 IRL520
Hersteller Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Grundproduktnummer IRL510 IRL510 IRL40SC228 IRL520
Vgs (Max) ±10V ±10V ±20V ±10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540mOhm @ 3.4A, 5V 540mOhm @ 3.4A, 5V 0.65mOhm @ 100A, 10V 270mOhm @ 5.5A, 5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 19680 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-220-3
Verlustleistung (max) 43W (Tc) - 416W (Tc) 60W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2V @ 250µA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 5V 4V, 5V 4.5V, 10V 4V, 5V
Serie - - StrongIRFET™ -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.6A (Tc) 5.6A (Tc) 557A (Tc) 9.2A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-262-3 D2PAK (7-Lead) TO-220AB
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 40 V 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V 6.1 nC @ 5 V 307 nC @ 4.5 V 12 nC @ 5 V
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRL510PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRL510PBF PDF -Datenblätter und Vishay Siliconix -Dokumentation für IRL510PBF - Vishay Siliconix herunter.

Andere verwandte Dokumente
Packaging Information.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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