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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL40SC209
IRL40SC209 Image
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IRL40SC209 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL40SC209
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL40SC209
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Datenblatt
IRL40SC209.pdf
RoHS Status
vorrätig: 11550

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Anzahl

Spezifikation

IRL40SC209 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL40SC209 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL40SC209

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead)  
Serie StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.8mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15270 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 267 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 478A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL40SC209  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL40SC209.

Produkteigenschaften IRL40SC209 IRL3803STRR IRL40SC228 IRL510S
Artikelnummer IRL40SC209 IRL3803STRR IRL40SC228 IRL510S
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 478A (Tc) 140A (Tc) 557A (Tc) 5.6A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15270 pF @ 25 V 5000 pF @ 25 V 19680 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Serie StrongIRFET™ HEXFET® StrongIRFET™ -
Grundproduktnummer IRL40SC209 - IRL40SC228 IRL510
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.8mOhm @ 100A, 10V 6mOhm @ 71A, 10V 0.65mOhm @ 100A, 10V 540mOhm @ 3.4A, 5V
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 1V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 267 nC @ 4.5 V 140 nC @ 4.5 V 307 nC @ 4.5 V 6.1 nC @ 5 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 416W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 30 V 40 V 100 V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead) D2PAK D2PAK (7-Lead) D²PAK (TO-263)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IRL40SC209 Datenblatt PDF

Laden Sie IRL40SC209 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL40SC209 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Chgs 15/Mar/2022.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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