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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL510A
IRL510A Image
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IRL510A - onsemi

Hersteller Artikelnummer
IRL510A
Hersteller
onsemi
Allelco Artikelnummer
32D-IRL510A
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
IRL510A.pdf
vorrätig: 3910

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Anzahl

Spezifikation

IRL510A Tech -Spezifikationen
onsemi - IRL510A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie onsemi - IRL510A

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller onsemi  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 2.8A, 5V  
Verlustleistung (max) 37W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.6A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL51  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie onsemi IRL510A.

Produkteigenschaften IRL510A IRL520 IRL40B215 IRL3803VSPBF
Artikelnummer IRL510A IRL520 IRL40B215 IRL3803VSPBF
Hersteller onsemi Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440mOhm @ 2.8A, 5V 270mOhm @ 5.5A, 5V 2.7mOhm @ 98A, 10V 5.5mOhm @ 71A, 10V
Grundproduktnummer IRL51 IRL520 IRL40B215 -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 5 V 12 nC @ 5 V 84 nC @ 4.5 V 76 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V ±10V ±20V ±16V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V 4V, 5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie - - HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.6A (Tc) 9.2A (Tc) 120A (Tc) 140A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.4V @ 100µA 1V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220AB TO-220AB D2PAK
Verlustleistung (max) 37W (Tc) 60W (Tc) 143W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 40 V 30 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V 5225 pF @ 25 V 3720 pF @ 25 V

IRL510A Datenblatt PDF

Laden Sie IRL510A PDF -Datenblätter und onsemi -Dokumentation für IRL510A - onsemi herunter.

Umweltinformationen
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Datenblätter
TO220B03 Pkg Drawing.pdf IRL510A.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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