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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRL40SC228
IRL40SC228 Image
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IRL40SC228 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRL40SC228
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRL40SC228
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 557A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Datenblatt
IRL40SC228.pdf
RoHS Status
vorrätig: 11902

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Anzahl

Spezifikation

IRL40SC228 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRL40SC228 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRL40SC228

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead)  
Serie StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.65mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 416W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 19680 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 307 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 557A (Tc)  
Grundproduktnummer IRL40SC228  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRL40SC228.

Produkteigenschaften IRL40SC228 IRL40B212 IRL40B215 IRL510S
Artikelnummer IRL40SC228 IRL40B212 IRL40B215 IRL510S
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Serie StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™ -
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead) TO-220AB TO-220AB D²PAK (TO-263)
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 2.4V @ 150µA 2.4V @ 100µA 2V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 19680 pF @ 25 V 8320 pF @ 25 V 5225 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Grundproduktnummer IRL40SC228 IRL40B212 IRL40B215 IRL510
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 100 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 307 nC @ 4.5 V 137 nC @ 4.5 V 84 nC @ 4.5 V 6.1 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.65mOhm @ 100A, 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V 2.7mOhm @ 98A, 10V 540mOhm @ 3.4A, 5V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 5V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 416W (Tc) 231W (Tc) 143W (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 557A (Tc) 195A (Tc) 120A (Tc) 5.6A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube

IRL40SC228 Datenblatt PDF

Laden Sie IRL40SC228 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRL40SC228 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021.pdf
PCN -Verpackung
Mult Device Standard Label Chg 29/Sep/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev A/T Chgs 15/Mar/2022.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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