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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFB30N120P
IXYS
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IXFB30N120P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFB30N120P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFB30N120P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXFB30N120P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 908

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Spezifikation

IXFB30N120P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFB30N120P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFB30N120P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS264™  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 1250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 22500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 310 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFB30  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFB30N120P.

Produkteigenschaften IXFB30N120P IXFB80N50Q2 IXFB70N60Q2 IXFA6N120P
Artikelnummer IXFB30N120P IXFB80N50Q2 IXFB70N60Q2 IXFA6N120P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse PLUS264™ PLUS264™ PLUS264™ TO-263AA (IXFA)
VGS (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA 5.5V @ 8mA 5.5V @ 8mA 5V @ 1mA
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 1250W (Tc) 960W (Tc) 890W (Tc) 250W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 500mA, 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 88mOhm @ 35A, 10V 2.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 22500 pF @ 25 V 15000 pF @ 25 V 12000 pF @ 25 V 2830 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 80A (Tc) 70A (Tc) 6A (Tc)
Grundproduktnummer IXFB30 IXFB80 IXFB70 IXFA6N120
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 310 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 265 nC @ 10 V 92 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 500 V 600 V 1200 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount

IXFB30N120P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFB30N120P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFB30N120P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFB30N120P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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