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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFB100N50P
IXYS
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IXFB100N50P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFB100N50P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFB100N50P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXFB100N50P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1631

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Spezifikation

IXFB100N50P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFB100N50P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFB100N50P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS264™  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 1890W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFB100  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFB100N50P.

Produkteigenschaften IXFB100N50P IXFB50N80Q2 IXFA7N80P IXFA7N100P
Artikelnummer IXFB100N50P IXFB50N80Q2 IXFA7N80P IXFA7N100P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar
Paket Tube Tube Tube Tube
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V 7200 pF @ 25 V 1890 pF @ 25 V 2590 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 5.5V @ 8mA 5V @ 1mA 6V @ 1mA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 1890W (Tc) 1135W (Tc) 200W (Tc) 300W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Grundproduktnummer IXFB100 IXFB50 IXFA7N80 IXFA7N100
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 800 V 800 V 1000 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 50A (Tc) 7A (Tc) 7A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse PLUS264™ PLUS264™ TO-263AA (IXFA) TO-263AA (IXFA)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Betriebstemperatur - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49mOhm @ 50A, 10V 160mOhm @ 500mA, 10V 1.44Ohm @ 3.5A, 10V 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V

IXFB100N50P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFB100N50P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFB100N50P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFB100N50P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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