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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFB170N30P
IXYS
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IXFB170N30P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFB170N30P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFB170N30P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXFB170N30P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 996

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Spezifikation

IXFB170N30P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFB170N30P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFB170N30P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PLUS264™  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 85A, 10V  
Verlustleistung (max) 1250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 258 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFB170  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFB170N30P.

Produkteigenschaften IXFB170N30P IXFA7N80P IXFB100N50P IXFB60N80P
Artikelnummer IXFB170N30P IXFA7N80P IXFB100N50P IXFB60N80P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 258 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 1250W (Tc) 200W (Tc) 1890W (Tc) 1250W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 300 V 800 V 500 V 800 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 85A, 10V 1.44Ohm @ 3.5A, 10V 49mOhm @ 50A, 10V 140mOhm @ 30A, 10V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V 1890 pF @ 25 V 20000 pF @ 25 V 18000 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA 5V @ 1mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Supplier Device-Gehäuse PLUS264™ TO-263AA (IXFA) PLUS264™ PLUS264™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170A (Tc) 7A (Tc) 100A (Tc) 60A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar
Grundproduktnummer IXFB170 IXFA7N80 IXFB100 IXFB60

IXFB170N30P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFB170N30P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFB170N30P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFB170N30P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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