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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK24N100
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFK24N100 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK24N100
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK24N100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1KV 24A TO-264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXF(K,X)24N100.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2327

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Spezifikation

IXFK24N100 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK24N100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK24N100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 560W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 267 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK24  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK24N100.

Produkteigenschaften IXFK24N100 IXFK200N10P IXFK25N90 IXFK26N60Q
Artikelnummer IXFK24N100 IXFK200N10P IXFK25N90 IXFK26N60Q
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™
Paket Tube Box Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 100 V 900 V 600 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 267 nC @ 10 V 235 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IXFK24 IXFK200 IXFK250 IXFK26
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 200A (Tc) 25A (Tc) 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390mOhm @ 12A, 10V 7.5mOhm @ 100A, 10V 330mOhm @ 500mA, 10V 250mOhm @ 13A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA 5V @ 8mA 5V @ 8mA 4.5V @ 4mA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 560W (Tc) 830W (Tc) 560W (Tc) 360W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8700 pF @ 25 V 7600 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IXFK24N100 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK24N100 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK24N100 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Datenblätter
IXF(K,X)24N100.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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