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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFK30N50Q
IXYS
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IXFK30N50Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFK30N50Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFK30N50Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 30A TO264AA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXF(K,X)30N50Q, 32N50Q.pdf
vorrätig: 5170

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Spezifikation

IXFK30N50Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFK30N50Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFK30N50Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 416W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3950 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFK30  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFK30N50Q.

Produkteigenschaften IXFK30N50Q IXFK30N100Q2 IXFK32N100P IXFK27N80Q
Artikelnummer IXFK30N50Q IXFK30N100Q2 IXFK32N100P IXFK27N80Q
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 15A, 10V 400mOhm @ 15A, 10V 320mOhm @ 16A, 10V 320mOhm @ 500mA, 10V
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 1000 V 1000 V 800 V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q Class
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 5V @ 8mA 6.5V @ 1mA 4.5V @ 4mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3950 pF @ 25 V 8200 pF @ 25 V 14200 pF @ 25 V 7600 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 416W (Tc) 735W (Tc) 960W (Tc) 500W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 186 nC @ 10 V 225 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Grundproduktnummer IXFK30 IXFK30 IXFK32 IXFK27
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc) 32A (Tc) 27A (Tc)

IXFK30N50Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFK30N50Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFK30N50Q - IXYS herunter.

Datenblätter
IXF(K,X)30N50Q, 32N50Q.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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