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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN180N15P
IXYS
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IXFN180N15P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN180N15P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN180N15P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN180N15P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2080

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Spezifikation

IXFN180N15P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN180N15P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN180N15P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 90A, 10V  
Verlustleistung (max) 680W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Box  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 150A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN180  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN180N15P.

Produkteigenschaften IXFN180N15P IXFN170N25X3 IXFN200N07 IXFN20N120
Artikelnummer IXFN180N15P IXFN170N25X3 IXFN200N07 IXFN20N120
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V 13500 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V 7400 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4V @ 8mA 4.5V @ 8mA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 150A (Tc) 170A (Tc) 200A (Tc) 20A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 480 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Ultra X3 HiPerFET™ HiPerFET™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 250 V 70 V 1200 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 680W (Tc) 390W (Tc) 520W (Tc) 780W (Tc)
Paket Box Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 90A, 10V 7.4mOhm @ 85A, 10V 6mOhm @ 500mA, 10V 750mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Grundproduktnummer IXFN180 IXFN170 IXFN200 IXFN20
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC

IXFN180N15P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN180N15P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN180N15P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN180N15P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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