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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN180N25T
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFN180N25T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN180N25T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN180N25T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN180N25T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1733

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Spezifikation

IXFN180N25T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN180N25T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN180N25T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.9mOhm @ 60A, 10V  
Verlustleistung (max) 900W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 345 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 168A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN180  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN180N25T.

Produkteigenschaften IXFN180N25T IXFN20N120 IXFN210N30X3 IXFN200N07
Artikelnummer IXFN180N25T IXFN20N120 IXFN210N30X3 IXFN200N07
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 28000 pF @ 25 V 7400 pF @ 25 V 24200 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 1200 V 300 V 70 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer IXFN180 IXFN20 IXFN210 IXFN200
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 345 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 375 nC @ 10 V 480 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™, Trench HiPerFET™ HiPerFET™, Ultra X3 HiPerFET™
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 168A (Tc) 20A (Tc) 210A (Tc) 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.9mOhm @ 60A, 10V 750mOhm @ 500mA, 10V 4.6mOhm @ 105A, 10V 6mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max) 900W (Tc) 780W (Tc) 695W (Tc) 520W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 8mA 4.5V @ 8mA 4.5V @ 8mA 4V @ 8mA

IXFN180N25T Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN180N25T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN180N25T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN180N25T.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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