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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN48N50Q
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFN48N50Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN48N50Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN48N50Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN(44,48)N50Q.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4970

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Spezifikation

IXFN48N50Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN48N50Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN48N50Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Q Class  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 500W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN48  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN48N50Q.

Produkteigenschaften IXFN48N50Q IXFN44N100Q3 IXFN44N50U2 IXFN44N60
Artikelnummer IXFN48N50Q IXFN44N100Q3 IXFN44N50U2 IXFN44N60
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 1000 V 500 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V 264 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™ HiPerFET™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V 13600 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V 8900 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc) 38A (Tc) 44A (Tc) 44A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 6.5V @ 8mA 4V @ 8mA 4.5V @ 8mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 500mA, 10V 220mOhm @ 22A, 10V 120mOhm @ 500mA, 10V 130mOhm @ 500mA, 10V
Grundproduktnummer IXFN48 IXFN44 IXFN44 IXFN44
Verlustleistung (max) 500W (Tc) 960W (Tc) 520W (Tc) 600W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount

IXFN48N50Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN48N50Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN48N50Q - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN(44,48)N50Q.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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