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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN48N55
IXYS
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IXFN48N55 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN48N55
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN48N55
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN48N55.pdf
vorrätig: 5330

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Spezifikation

IXFN48N55 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN48N55 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN48N55

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 600W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 550 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN48  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN48N55.

Produkteigenschaften IXFN48N55 IXFN48N50U3 IXFN50N50 IXFN50N120SK
Artikelnummer IXFN48N55 IXFN48N50U3 IXFN50N50 IXFN50N120SK
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 4V @ 8mA 4.5V @ 8mA 2.8V @ 10mA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Paket Tube Tube Tube Tube
Grundproduktnummer IXFN48 IXFN48 IXFN50 IXFN50
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V +20V, -5V
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Drain-Source-Spannung (Vdss) 550 V 500 V 500 V 1200 V
Verlustleistung (max) 600W (Tc) 520W (Tc) 600W (Tc) -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8900 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 1895 pF @ 1000 V
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 115 nC @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 500mA, 10V 90mOhm @ 500mA, 10V 52mOhm @ 40A, 20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 20V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc) 48A (Tc) 50A (Tc) 48A (Tc)
FET-Merkmal - - - -

IXFN48N55 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN48N55 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN48N55 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN48N55.pdf

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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