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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN48N60P
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFN48N60P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN48N60P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN48N60P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 40A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN48N60P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 1200

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Anzahl

Spezifikation

IXFN48N60P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN48N60P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN48N60P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 625W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8860 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN48  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN48N60P.

Produkteigenschaften IXFN48N60P IXFN48N50 IXFN50N120SK IXFN48N50Q
Artikelnummer IXFN48N60P IXFN48N50 IXFN50N120SK IXFN48N50Q
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 115 nC @ 20 V 190 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) 48A (Tc) 48A (Tc) 48A (Tc)
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™ - HiPerFET™, Q Class
Vgs (Max) ±30V ±20V +20V, -5V ±20V
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Grundproduktnummer IXFN48 IXFN48 IXFN50 IXFN48
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140mOhm @ 4A, 10V 100mOhm @ 500mA, 10V 52mOhm @ 40A, 20V 100mOhm @ 500mA, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8860 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V 1895 pF @ 1000 V 7000 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 625W (Tc) 520W (Tc) - 500W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 500 V 1200 V 500 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 20V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA 4V @ 8mA 2.8V @ 10mA 4V @ 4mA

IXFN48N60P Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN48N60P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN48N60P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN48N60P.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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