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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFN50N120SIC
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFN50N120SIC - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFN50N120SIC
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFN50N120SIC
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXFN50N120SIC.pdf
RoHS Status
vorrätig: 577

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Spezifikation

IXFN50N120SIC Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFN50N120SIC Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFN50N120SIC

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA  
Vgs (Max) +20V, -5V  
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 40A, 20V  
Verlustleistung (max) -  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 1000 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFN50  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFN50N120SIC.

Produkteigenschaften IXFN50N120SIC IXFN50N80Q2 IXFN48N50 IXFN50N120SK
Artikelnummer IXFN50N120SIC IXFN50N80Q2 IXFN48N50 IXFN50N120SK
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Verlustleistung (max) - 1135W (Tc) 520W (Tc) -
Vgs (Max) +20V, -5V ±30V ±20V +20V, -5V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 1000 V 13500 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V 1895 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 20 V 260 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 115 nC @ 20 V
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47A (Tc) 50A (Tc) 48A (Tc) 48A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA 5.5V @ 8mA 4V @ 8mA 2.8V @ 10mA
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 40A, 20V 160mOhm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 500mA, 10V 52mOhm @ 40A, 20V
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Technologie SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide)
Grundproduktnummer IXFN50 IXFN50 IXFN48 IXFN50
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 800 V 500 V 1200 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V 10V 10V 20V
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie - HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™ -

IXFN50N120SIC Datenblatt PDF

Laden Sie IXFN50N120SIC PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFN50N120SIC - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFN50N120SIC.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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