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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFR26N50
IXFR26N50 Image
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IXFR26N50 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFR26N50
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFR26N50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXFR(26,24)N50.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5470

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Anzahl

Spezifikation

IXFR26N50 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFR26N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFR26N50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 13A, 10V  
Verlustleistung (max) 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFR26  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFR26N50.

Produkteigenschaften IXFR26N50 IXFR180N06 IXFR24N50Q IXFR180N085
Artikelnummer IXFR26N50 IXFR180N06 IXFR24N50Q IXFR180N085
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 60 V 500 V 85 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA 4V @ 8mA 4.5V @ 4mA 4V @ 8mA
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verlustleistung (max) 250W (Tc) 560W (Tc) 250W (Tc) 400W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 13A, 10V 5mOhm @ 90A, 10V 230mOhm @ 12A, 10V 7mOhm @ 500mA, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Grundproduktnummer IXFR26 IXFR180 IXFR24 IXFR180
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 26A (Tc) 180A (Tc) 22A (Tc) 180A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 25 V 7650 pF @ 25 V 3900 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V 420 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 320 nC @ 10 V

IXFR26N50 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFR26N50 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFR26N50 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXFR(26,24)N50.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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