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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFR24N50Q
IXFR24N50Q Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXFR24N50Q - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFR24N50Q
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFR24N50Q
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXFR(26,24)N50Q.pdf
vorrätig: 4260

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Spezifikation

IXFR24N50Q Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFR24N50Q Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFR24N50Q

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFR24  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFR24N50Q.

Produkteigenschaften IXFR24N50Q IXFR26N60Q IXFR36N60P IXFR34N80
Artikelnummer IXFR24N50Q IXFR26N60Q IXFR36N60P IXFR34N80
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 102 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 600 V 600 V 800 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 250W (Tc) 310W (Tc) 208W (Tc) 416W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3900 pF @ 25 V 5100 pF @ 25 V 5800 pF @ 25 V 7500 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 22A (Tc) 23A (Tc) 20A (Tc) 28A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 12A, 10V 250mOhm @ 13A, 10V 200mOhm @ 18A, 10V 240mOhm @ 17A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 5V @ 4mA 4V @ 8mA
Grundproduktnummer IXFR24 IXFR26 IXFR36 IXFR34
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IXFR24N50Q Datenblatt PDF

Laden Sie IXFR24N50Q PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFR24N50Q - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf
Datenblätter
IXFR(26,24)N50Q.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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