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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXFR55N50
IXFR55N50 Image
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IXFR55N50 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXFR55N50
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXFR55N50
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXFR(50,55)N50.pdf
vorrätig: 4800

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Anzahl

Spezifikation

IXFR55N50 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXFR55N50 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXFR55N50

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™  
Serie HiPerFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 27.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 400W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc)  
Grundproduktnummer IXFR55  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXFR55N50.

Produkteigenschaften IXFR55N50 IXFT140N10P IXFR50N50 IXFT26N50Q
Artikelnummer IXFR55N50 IXFT140N10P IXFR50N50 IXFT26N50Q
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Grundproduktnummer IXFR55 IXFT140 IXFR50 IXFT26
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse ISOPLUS247™ TO-268AA ISOPLUS247™ TO-268AA
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Box Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 48A (Tc) 140A (Tc) 43A (Tc) 26A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 100 V 500 V 500 V
Verlustleistung (max) 400W (Tc) 600W (Tc) 400W (Tc) 300W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V 4700 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 3900 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 27.5A, 10V 11mOhm @ 70A, 10V 100mOhm @ 25A, 10V 200mOhm @ 13A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA 5V @ 4mA 4.5V @ 8mA 4.5V @ 4mA

IXFR55N50 Datenblatt PDF

Laden Sie IXFR55N50 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXFR55N50 - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Datenblätter
IXFR(50,55)N50.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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