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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTA152N085T
IXTA152N085T Image
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IXTA152N085T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTA152N085T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTA152N085T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 85V 152A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IXT(A,P)152N085T.pdf
vorrätig: 4030

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Spezifikation

IXTA152N085T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTA152N085T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTA152N085T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA  
Serie TrenchMV™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 360W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 85 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 152A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTA152  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTA152N085T.

Produkteigenschaften IXTA152N085T IXTA180N10T7 IXTA1N120P IXTA16N50P
Artikelnummer IXTA152N085T IXTA180N10T7 IXTA1N120P IXTA16N50P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V 151 nC @ 10 V 17.6 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 85 V 100 V 1200 V 500 V
Serie TrenchMV™ Trench Polar Polar
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 10V 6.4mOhm @ 25A, 10V 20Ohm @ 500mA, 10V 400mOhm @ 8A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500 pF @ 25 V 6900 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 50µA 5.5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA TO-263-7 (IXTA) TO-263AA TO-263AA
Grundproduktnummer IXTA152 IXTA180 IXTA1 IXTA16
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 360W (Tc) 480W (Tc) 63W (Tc) 300W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 152A (Tc) 180A (Tc) 1A (Tc) 16A (Tc)

IXTA152N085T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTA152N085T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTA152N085T - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
IXT Series 30/Oct/2012.pdf
Datenblätter
IXT(A,P)152N085T.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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