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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTA170N075T2
IXTA170N075T2 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTA170N075T2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTA170N075T2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTA170N075T2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 170A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IXT(A,P)170N075T2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10560

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Spezifikation

IXTA170N075T2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTA170N075T2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTA170N075T2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA  
Serie TrenchT2™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 360W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6860 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTA170  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTA170N075T2.

Produkteigenschaften IXTA170N075T2 IXTA152N085T IXTA140P05T IXTA110N055T2
Artikelnummer IXTA170N075T2 IXTA152N085T IXTA140P05T IXTA110N055T2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer IXTA170 IXTA152 IXTA140 IXTA110
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170A (Tc) 152A (Tc) 140A (Tc) 110A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±15V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6860 pF @ 25 V 5500 pF @ 25 V 13500 pF @ 25 V 3060 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 85 V 50 V 55 V
Verlustleistung (max) 360W (Tc) 360W (Tc) 298W (Tc) 180W (Tc)
Serie TrenchT2™ TrenchMV™ TrenchP™ TrenchT2™
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 50A, 10V 7mOhm @ 25A, 10V 9mOhm @ 70A, 10V 6.6mOhm @ 25A, 10V

IXTA170N075T2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTA170N075T2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTA170N075T2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,P)170N075T2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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