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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTA180N10T
IXTA180N10T Image
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IXTA180N10T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTA180N10T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTA180N10T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 180A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IXT(A,P)180N10T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 14961

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Spezifikation

IXTA180N10T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTA180N10T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTA180N10T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA  
Serie Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 480W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 151 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTA180  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTA180N10T.

Produkteigenschaften IXTA180N10T IXTA152N085T IXTA170N075T2 IXTA150N15X4
Artikelnummer IXTA180N10T IXTA152N085T IXTA170N075T2 IXTA150N15X4
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Grundproduktnummer IXTA180 IXTA152 IXTA170 IXTA150
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie Trench TrenchMV™ TrenchT2™ Ultra X4
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 480W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc) 480W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 85 V 75 V 150 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 151 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 180A (Tc) 152A (Tc) 170A (Tc) 150A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 25A, 10V 7mOhm @ 25A, 10V 5.4mOhm @ 50A, 10V 6.9mOhm @ 75A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6900 pF @ 25 V 5500 pF @ 25 V 6860 pF @ 25 V 5500 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -

IXTA180N10T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTA180N10T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTA180N10T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,P)180N10T.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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