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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTA18P10T
IXTA18P10T Image
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IXTA18P10T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTA18P10T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTA18P10T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 18A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IXT(Y,A,P)18P10T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 18031

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Spezifikation

IXTA18P10T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTA18P10T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTA18P10T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA  
Serie TrenchP™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 9A, 10V  
Verlustleistung (max) 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTA18  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTA18P10T.

Produkteigenschaften IXTA18P10T IXTA230N075T2 IXTA200N055T2 IXTA16N50P
Artikelnummer IXTA18P10T IXTA230N075T2 IXTA200N055T2 IXTA16N50P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Grundproduktnummer IXTA18 IXTA230 IXTA200 IXTA16
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 9A, 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V 400mOhm @ 8A, 10V
Verlustleistung (max) 83W (Tc) 480W (Tc) 360W (Tc) 300W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 178 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc) 230A (Tc) 200A (Tc) 16A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Serie TrenchP™ TrenchT2™ TrenchT2™ Polar
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 75 V 55 V 500 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±15V ±20V ±20V ±30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 25 V 10500 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V

IXTA18P10T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTA18P10T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTA18P10T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(Y,A,P)18P10T.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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