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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTA1N100
IXTA1N100 Image
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IXTA1N100 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTA1N100
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTA1N100
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
IXT(A,P)1N100.pdf
RoHS Status
vorrätig: 14199

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Spezifikation

IXTA1N100 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTA1N100 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTA1N100

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 25µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11Ohm @ 1A, 10V  
Verlustleistung (max) 54W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTA1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTA1N100.

Produkteigenschaften IXTA1N100 IXTA1R4N120P IXTA152N085T IXTA230N075T2
Artikelnummer IXTA1N100 IXTA1R4N120P IXTA152N085T IXTA230N075T2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5 nC @ 10 V 24.8 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V 178 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1.5A (Tc) 1.4A (Tc) 152A (Tc) 230A (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie - Polar TrenchMV™ TrenchT2™
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verlustleistung (max) 54W (Tc) 86W (Tc) 360W (Tc) 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11Ohm @ 1A, 10V 13Ohm @ 500mA, 10V 7mOhm @ 25A, 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 1200 V 85 V 75 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 25µA 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 666 pF @ 25 V 5500 pF @ 25 V 10500 pF @ 25 V
Grundproduktnummer IXTA1 IXTA1 IXTA152 IXTA230
Paket Tube Tube Tube Tube

IXTA1N100 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTA1N100 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTA1N100 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,P)1N100.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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