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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH160N10T
IXTH160N10T Image
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IXTH160N10T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH160N10T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH160N10T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 160A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXT(H,Q)160N10T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9831

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Anzahl

Spezifikation

IXTH160N10T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH160N10T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH160N10T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 430W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 132 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH160  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH160N10T.

Produkteigenschaften IXTH160N10T IXTH140P05T IXTH14N100 IXTH1N250
Artikelnummer IXTH160N10T IXTH140P05T IXTH14N100 IXTH1N250
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 132 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V
Grundproduktnummer IXTH160 IXTH140 IXTH14 IXTH1
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247AD
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 10V 9mOhm @ 70A, 10V 820mOhm @ 500mA, 10V 40Ohm @ 750mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (Max) ±30V ±15V ±20V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 160A (Tc) 140A (Tc) 14A (Tc) 1.5A (Tc)
Serie Trench TrenchP™ MegaMOS™ -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6600 pF @ 25 V 13500 pF @ 25 V 5650 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V
Verlustleistung (max) 430W (Tc) 298W (Tc) 360W (Tc) -
FET-Merkmal - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 50 V 1000 V 2500 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -

IXTH160N10T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH160N10T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH160N10T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(H,Q)160N10T.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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