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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH16N10D2
IXTH16N10D2 Image
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IXTH16N10D2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH16N10D2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH16N10D2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 16A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXT(H,T)16N10D2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3189

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Anzahl

Spezifikation

IXTH16N10D2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH16N10D2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH16N10D2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie Depletion  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 8A, 0V  
Verlustleistung (max) 830W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal Depletion Mode  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH16  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH16N10D2.

Produkteigenschaften IXTH16N10D2 IXTH1N100 IXTH180N10T IXTH15N50L2
Artikelnummer IXTH16N10D2 IXTH1N100 IXTH180N10T IXTH15N50L2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Verlustleistung (max) 830W (Tc) 60W (Tc) 480W (Tc) 300W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 1000 V 100 V 500 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Serie Depletion - Trench Linear L2™
VGS (th) (Max) @ Id - 4.5V @ 25µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 5 V 23 nC @ 10 V 151 nC @ 10 V 123 nC @ 10 V
FET-Merkmal Depletion Mode - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V 6900 pF @ 25 V 4080 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 8A, 0V 11Ohm @ 1A, 10V 6.4mOhm @ 25A, 10V 480mOhm @ 7.5A, 10V
Grundproduktnummer IXTH16 IXTH1 IXTH180 IXTH15
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Tc) 1.5A (Tc) 180A (Tc) 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V 10V 10V 10V

IXTH16N10D2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH16N10D2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH16N10D2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(H,T)16N10D2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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