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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH15N50L2
IXTH15N50L2 Image
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IXTH15N50L2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH15N50L2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH15N50L2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 15A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXT(A,H,P)15N50L2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4427

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Anzahl

Spezifikation

IXTH15N50L2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH15N50L2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH15N50L2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie Linear L2™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 7.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 300W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4080 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH15  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH15N50L2.

Produkteigenschaften IXTH15N50L2 IXTH1N100 IXTH140P05T IXTH16P20
Artikelnummer IXTH15N50L2 IXTH1N100 IXTH140P05T IXTH16P20
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 300W (Tc) 60W (Tc) 298W (Tc) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 1000 V 50 V 200 V
Grundproduktnummer IXTH15 IXTH1 IXTH140 IXTH16
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 123 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480mOhm @ 7.5A, 10V 11Ohm @ 1A, 10V 9mOhm @ 70A, 10V 160mOhm @ 500mA, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4080 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V 13500 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A (Tc) 1.5A (Tc) 140A (Tc) 16A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±15V ±20V
Paket Tube Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 25µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Serie Linear L2™ - TrenchP™ -

IXTH15N50L2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH15N50L2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH15N50L2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,H,P)15N50L2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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