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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH20P50P
IXTH20P50P Image
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IXTH20P50P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH20P50P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH20P50P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 500V 20A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXT(H,T)20P50P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4588

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Anzahl

Spezifikation

IXTH20P50P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH20P50P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH20P50P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie PolarP™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 10A, 10V  
Verlustleistung (max) 460W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5120 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 103 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH20P50P.

Produkteigenschaften IXTH20P50P IXTH21N50 IXTH24P20 IXTH16N10D2
Artikelnummer IXTH20P50P IXTH21N50 IXTH24P20 IXTH16N10D2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 500 V 200 V 100 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 0V
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 21A (Tc) 24A (Tc) 16A (Tc)
Verlustleistung (max) 460W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 830W (Tc)
Grundproduktnummer IXTH20 IXTH21 IXTH24 IXTH16
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 10A, 10V 250mOhm @ 10.5A, 10V 150mOhm @ 500mA, 10V 64mOhm @ 8A, 0V
FET-Merkmal - - - Depletion Mode
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 103 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 225 nC @ 5 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Serie PolarP™ MegaMOS™ - Depletion
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5120 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V 5700 pF @ 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IXTH20P50P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH20P50P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH20P50P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(H,T)20P50P.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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