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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH200N075T
IXTH200N075T Image
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IXTH200N075T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH200N075T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH200N075T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 200A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXT(H,Q)200N075T.pdf
vorrätig: 4070

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Spezifikation

IXTH200N075T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH200N075T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH200N075T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 430W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH200N075T.

Produkteigenschaften IXTH200N075T IXTH1N100 IXTH16N10D2 IXTH160N15T
Artikelnummer IXTH200N075T IXTH1N100 IXTH16N10D2 IXTH160N15T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IXTH200 IXTH1 IXTH16 IXTH160
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 1000 V 100 V 150 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 25µA - 5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 225 nC @ 5 V 160 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 430W (Tc) 60W (Tc) 830W (Tc) 830W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - Depletion Mode -
Serie - - Depletion Trench
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200A (Tc) 1.5A (Tc) 16A (Tc) 160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 0V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V 11Ohm @ 1A, 10V 64mOhm @ 8A, 0V 9.6mOhm @ 500mA, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6800 pF @ 25 V 480 pF @ 25 V 5700 pF @ 25 V 8800 pF @ 25 V

IXTH200N075T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH200N075T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH200N075T - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
IXT Series 30/Oct/2012.pdf
Datenblätter
IXT(H,Q)200N075T.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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