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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH1N450HV
IXTH1N450HV Image
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IXTH1N450HV - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH1N450HV
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH1N450HV
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 4500V 1A TO247HV
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3 Variant
Datenblatt
IXTT1N450HV.pdf
RoHS Status
vorrätig: 891

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Spezifikation

IXTH1N450HV Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH1N450HV Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH1N450HV

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 6V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247HV  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80Ohm @ 50mA, 10V  
Verlustleistung (max) 520W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 4500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH1  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH1N450HV.

Produkteigenschaften IXTH1N450HV IXTH15N50L2 IXTH1N250 IXTH20P50P
Artikelnummer IXTH1N450HV IXTH15N50L2 IXTH1N250 IXTH20P50P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80Ohm @ 50mA, 10V 480mOhm @ 7.5A, 10V 40Ohm @ 750mA, 10V 450mOhm @ 10A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 520W (Tc) 300W (Tc) - 460W (Tc)
Serie - Linear L2™ - PolarP™
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V 123 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 103 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IXTH1 IXTH15 IXTH1 IXTH20
Supplier Device-Gehäuse TO-247HV TO-247 (IXTH) TO-247AD TO-247 (IXTH)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 4500 V 500 V 2500 V 500 V
VGS (th) (Max) @ Id 6V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 25 V 4080 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V 5120 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 1A (Tc) 15A (Tc) 1.5A (Tc) 20A (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 Variant TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

IXTH1N450HV Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH1N450HV PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH1N450HV - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTT1N450HV.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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