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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH200N10T
IXTH200N10T Image
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IXTH200N10T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH200N10T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH200N10T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 200A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXT(H,Q)200N10T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 8617

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Anzahl

Spezifikation

IXTH200N10T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH200N10T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH200N10T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie Trench  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 550W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH200  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH200N10T.

Produkteigenschaften IXTH200N10T IXTH1N250 IXTH180N10T IXTH20P50P
Artikelnummer IXTH200N10T IXTH1N250 IXTH180N10T IXTH20P50P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 2500 V 100 V 500 V
Vgs (Max) ±30V - ±30V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V 40Ohm @ 750mA, 10V 6.4mOhm @ 25A, 10V 450mOhm @ 10A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9400 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V 6900 pF @ 25 V 5120 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Tube Tube
Verlustleistung (max) 550W (Tc) - 480W (Tc) 460W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 200A (Tc) 1.5A (Tc) 180A (Tc) 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 152 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 151 nC @ 10 V 103 nC @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247AD TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Grundproduktnummer IXTH200 IXTH1 IXTH180 IXTH20
Serie Trench - Trench PolarP™
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA

IXTH200N10T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH200N10T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH200N10T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(H,Q)200N10T.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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