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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH3N150
IXTH3N150 Image
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IXTH3N150 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH3N150
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH3N150
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1500V 3A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXTH3N150.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5058

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Anzahl

Spezifikation

IXTH3N150 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH3N150 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH3N150

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3Ohm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1375 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38.6 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH3N150.

Produkteigenschaften IXTH3N150 IXTH48N65X2 IXTH34N65X2 IXTH48P20P
Artikelnummer IXTH3N150 IXTH48N65X2 IXTH34N65X2 IXTH48P20P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1500 V 650 V 650 V 200 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paket Tube Tube Tube Tube
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Grundproduktnummer IXTH3 IXTH48 IXTH34 IXTH48
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Serie - Ultra X2 Ultra X2 PolarP™
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 4mA 4.5V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc) 48A (Tc) 34A (Tc) 48A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38.6 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 103 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3Ohm @ 1.5A, 10V 68mOhm @ 24A, 10V 105mOhm @ 17A, 10V 85mOhm @ 500mA, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1375 pF @ 25 V 4420 pF @ 25 V 3120 pF @ 25 V 5400 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 250W (Tc) 660W (Tc) 540W (Tc) 462W (Tc)

IXTH3N150 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH3N150 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH3N150 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTH3N150.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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