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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH3N120
IXTH3N120 Image
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IXTH3N120 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH3N120
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH3N120
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 3A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXT(A,P)3N120.pdf
RoHS Status
vorrätig: 6468

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Anzahl

Spezifikation

IXTH3N120 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH3N120 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH3N120

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Box  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH3N120.

Produkteigenschaften IXTH3N120 IXTH48N20 IXTH48N65X2 IXTH30N60P
Artikelnummer IXTH3N120 IXTH48N20 IXTH48N65X2 IXTH30N60P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 200 V 650 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Paket Box Tube Tube Tube
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 4mA 5V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V 4420 pF @ 25 V 5050 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc) 48A (Tc) 48A (Tc) 30A (Tc)
Verlustleistung (max) 200W (Tc) 275W (Tc) 660W (Tc) 540W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IXTH3 IXTH48 IXTH48 IXTH30
Serie - - Ultra X2 Polar
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 500mA, 10V 50mOhm @ 15A, 10V 68mOhm @ 24A, 10V 240mOhm @ 15A, 10V

IXTH3N120 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH3N120 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH3N120 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,P)3N120.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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