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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH40N50L2
IXTH40N50L2 Image
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IXTH40N50L2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH40N50L2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH40N50L2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 40A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXT(H,Q,T)40N50L2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2238

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Anzahl

Spezifikation

IXTH40N50L2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH40N50L2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH40N50L2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie Linear L2™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 540W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 320 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH40  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH40N50L2.

Produkteigenschaften IXTH40N50L2 IXTH50N25T IXTH3N100P IXTH30N60P
Artikelnummer IXTH40N50L2 IXTH50N25T IXTH3N100P IXTH30N60P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10400 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V 5050 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) 50A (Tc) 3A (Tc) 30A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 320 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V
Verlustleistung (max) 540W (Tc) 400W (Tc) 125W (Tc) 540W (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 20A, 10V 60mOhm @ 25A, 10V 4.8Ohm @ 1.5A, 10V 240mOhm @ 15A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5V @ 1mA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Serie Linear L2™ Trench Polar Polar
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 250 V 1000 V 600 V
Grundproduktnummer IXTH40 IXTH50 IXTH3 IXTH30

IXTH40N50L2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH40N50L2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH40N50L2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(H,Q,T)40N50L2.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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