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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTH460P2
IXTH460P2 Image
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IXTH460P2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTH460P2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTH460P2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 24A TO247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
IXTA,P,Q,H460P2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 6538

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Anzahl

Spezifikation

IXTH460P2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTH460P2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTH460P2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH)  
Serie PolarP2™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 480W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2890 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTH460  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTH460P2.

Produkteigenschaften IXTH460P2 IXTH36P10 IXTH3N150 IXTH50P085
Artikelnummer IXTH460P2 IXTH36P10 IXTH3N150 IXTH50P085
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 36A (Tc) 3A (Tc) 50A (Tc)
Serie PolarP2™ - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 38.6 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270mOhm @ 12A, 10V 75mOhm @ 18A, 10V 7.3Ohm @ 1.5A, 10V 55mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2890 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V 1375 pF @ 25 V 4200 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 100 V 1500 V 85 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IXTH460 IXTH36 IXTH3 IXTH50
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 480W (Tc) 180W (Tc) 250W (Tc) 300W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA

IXTH460P2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTH460P2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTH460P2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTA,P,Q,H460P2.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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