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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTK170N10P
IXYS
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IXTK170N10P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTK170N10P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTK170N10P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 170A TO264
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-264-3, TO-264AA
Datenblatt
IXT(K,Q,T)170N10P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3357

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Spezifikation

IXTK170N10P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTK170N10P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTK170N10P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK)  
Serie Polar  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 500mA, 10V  
Verlustleistung (max) 715W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 198 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTK170  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTK170N10P.

Produkteigenschaften IXTK170N10P IXTK21N100 IXTK180N15 IXTK17N120L
Artikelnummer IXTK170N10P IXTK21N100 IXTK180N15 IXTK17N120L
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie Polar MegaMOS™ MegaMOS™ Linear
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 500µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 170A (Tc) 21A (Tc) 180A (Tc) 17A (Tc)
Grundproduktnummer IXTK170 IXTK21 IXTK180 IXTK17
Verlustleistung (max) 715W (Tc) 500W (Tc) 730W (Tc) 700W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 198 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 155 nC @ 15 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 1000 V 150 V 1200 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Verpackung / Gehäuse TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Supplier Device-Gehäuse TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 8300 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 500mA, 10V 550mOhm @ 500mA, 10V 9mOhm @ 500mA, 10V 900mOhm @ 8.5A, 20V

IXTK170N10P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTK170N10P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTK170N10P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(K,Q,T)170N10P.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
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