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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTN30N100L
IXYS
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTN30N100L - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTN30N100L
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTN30N100L
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-227-4, miniBLOC
Datenblatt
IXTN30N100L.pdf
RoHS Status
vorrätig: 721

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Spezifikation

IXTN30N100L Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTN30N100L Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTN30N100L

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B  
Serie Linear  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 15A, 20V  
Verlustleistung (max) 800W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Chassis Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 545 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTN30  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTN30N100L.

Produkteigenschaften IXTN30N100L IXTN600N04T2 IXTN60N50L2 IXTN40P50P
Artikelnummer IXTN30N100L IXTN600N04T2 IXTN60N50L2 IXTN40P50P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Befestigungsart Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 600A (Tc) 53A (Tc) 40A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Paket Bulk Tube Tube Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 545 nC @ 20 V 590 nC @ 10 V 610 nC @ 10 V 205 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 15A, 20V 1.05mOhm @ 100A, 10V 100mOhm @ 30A, 10V 230mOhm @ 500mA, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V 10V 10V 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 40 V 500 V 500 V
Grundproduktnummer IXTN30 IXTN600 IXTN60 IXTN40
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Serie Linear TrenchT2™ Linear L2™ PolarP™
Verlustleistung (max) 800W (Tc) 940W (Tc) 735W (Tc) 890W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13700 pF @ 25 V 40000 pF @ 25 V 24000 pF @ 25 V 11500 pF @ 25 V

IXTN30N100L Datenblatt PDF

Laden Sie IXTN30N100L PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTN30N100L - IXYS herunter.

Datenblätter
IXTN30N100L.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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