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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTP18P10T
IXTP18P10T Image
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IXTP18P10T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTP18P10T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTP18P10T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXT(Y,A,P)18P10T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 28825

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Anzahl

Spezifikation

IXTP18P10T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTP18P10T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTP18P10T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie TrenchP™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 9A, 10V  
Verlustleistung (max) 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTP18  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTP18P10T.

Produkteigenschaften IXTP18P10T IXTP14N60PM IXTP140P05T IXTP230N075T2
Artikelnummer IXTP18P10T IXTP14N60PM IXTP140P05T IXTP230N075T2
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 9A, 10V 550mOhm @ 7A, 10V 9mOhm @ 70A, 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 TO-220-3
Verlustleistung (max) 83W (Tc) 75W (Tc) 298W (Tc) 480W (Tc)
Serie TrenchP™ Polar TrenchP™ TrenchT2™
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V 13500 pF @ 25 V 10500 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 18A (Tc) 7A (Tc) 140A (Tc) 230A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 600 V 50 V 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 178 nC @ 10 V
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±15V ±30V ±15V ±20V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220 Isolated Tab TO-220-3 TO-220-3
Grundproduktnummer IXTP18 IXTP14 IXTP140 IXTP230

IXTP18P10T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTP18P10T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTP18P10T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(Y,A,P)18P10T.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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