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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTP182N055T
IXTP182N055T Image
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IXTP182N055T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTP182N055T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTP182N055T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 182A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXT(A,P)182N055T.pdf
vorrätig: 5200

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Anzahl

Spezifikation

IXTP182N055T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTP182N055T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTP182N055T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie TrenchMV™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 360W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4850 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 182A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTP182  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTP182N055T.

Produkteigenschaften IXTP182N055T IXTP16N50P IXTP140N055T2 IXTP14N60PM
Artikelnummer IXTP182N055T IXTP16N50P IXTP140N055T2 IXTP14N60PM
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Grundproduktnummer IXTP182 IXTP16 IXTP140 IXTP14
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4850 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V 4760 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V 400mOhm @ 8A, 10V 5.4mOhm @ 50A, 10V 550mOhm @ 7A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 182A (Tc) 16A (Tc) 140A (Tc) 7A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 500 V 55 V 600 V
Verlustleistung (max) 360W (Tc) 300W (Tc) 250W (Tc) 75W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Paket Tube Tube Tube Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220 Isolated Tab
Serie TrenchMV™ Polar TrenchT2™ Polar

IXTP182N055T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTP182N055T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTP182N055T - IXYS herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
IXT Series 30/Oct/2012.pdf
Datenblätter
IXT(A,P)182N055T.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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