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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTP230N075T2
IXTP230N075T2 Image
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IXTP230N075T2 - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTP230N075T2
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTP230N075T2
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXT(A,P)230N075T2.pdf
RoHS Status
vorrätig: 11184

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Anzahl

Spezifikation

IXTP230N075T2 Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTP230N075T2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTP230N075T2

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie TrenchT2™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 480W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 178 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 230A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTP230  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTP230N075T2.

Produkteigenschaften IXTP230N075T2 IXTP24P085T IXTP18P10T IXTP182N055T
Artikelnummer IXTP230N075T2 IXTP24P085T IXTP18P10T IXTP182N055T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Verlustleistung (max) 480W (Tc) 83W (Tc) 83W (Tc) 360W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 178 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 114 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 50A, 10V 65mOhm @ 12A, 10V 120mOhm @ 9A, 10V 5mOhm @ 25A, 10V
Paket Tube Tube Tube Tube
Serie TrenchT2™ TrenchP™ TrenchP™ TrenchMV™
Grundproduktnummer IXTP230 IXTP24 IXTP18 IXTP182
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 85 V 100 V 55 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10500 pF @ 25 V 2090 pF @ 25 V 2100 pF @ 25 V 4850 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±15V ±15V ±20V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 230A (Tc) 24A (Tc) 18A (Tc) 182A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IXTP230N075T2 Datenblatt PDF

Laden Sie IXTP230N075T2 PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTP230N075T2 - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,P)230N075T2.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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