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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTP3N100P
IXTP3N100P Image
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IXTP3N100P - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTP3N100P
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTP3N100P
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXT(A,H,P)3N100P.pdf
RoHS Status
vorrätig: 14535

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Anzahl

Spezifikation

IXTP3N100P Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTP3N100P Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTP3N100P

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie Polar P3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8Ohm @ 1.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTP3  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTP3N100P.

Produkteigenschaften IXTP3N100P IXTP44P15T IXTP24N65X2 IXTP26P10T
Artikelnummer IXTP3N100P IXTP44P15T IXTP24N65X2 IXTP26P10T
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3A (Tc) 44A (Tc) 24A (Tc) 26A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 175 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie Polar P3™ TrenchP™ Ultra X2 TrenchP™
Vgs (Max) ±20V ±15V ±30V ±15V
FET-Merkmal - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8Ohm @ 1.5A, 10V 65mOhm @ 500mA, 10V 145mOhm @ 12A, 10V 90mOhm @ 13A, 10V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Grundproduktnummer IXTP3 IXTP44 IXTP24 IXTP26
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 13400 pF @ 25 V 2060 pF @ 25 V 3820 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V 150 V 650 V 100 V
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 298W (Tc) 390W (Tc) 150W (Tc)

IXTP3N100P Datenblatt PDF

Laden Sie IXTP3N100P PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTP3N100P - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,H,P)3N100P.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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