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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIXTP24P085T
IXTP24P085T Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IXTP24P085T - IXYS

Hersteller Artikelnummer
IXTP24P085T
Hersteller
IXYS Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-IXTP24P085T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 85V 24A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IXT(A,P)24P085T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 34897

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Spezifikation

IXTP24P085T Tech -Spezifikationen
IXYS - IXTP24P085T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie IXYS - IXTP24P085T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3  
Serie TrenchP™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 83W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2090 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 85 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc)  
Grundproduktnummer IXTP24  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie IXYS IXTP24P085T.

Produkteigenschaften IXTP24P085T IXTP230N075T2 IXTP32P05T IXTP2N60P
Artikelnummer IXTP24P085T IXTP230N075T2 IXTP32P05T IXTP2N60P
Hersteller IXYS IXYS IXYS IXYS
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Serie TrenchP™ TrenchT2™ TrenchP™ Polar™
Verlustleistung (max) 83W (Tc) 480W (Tc) 83W (Tc) 55W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA
Grundproduktnummer IXTP24 IXTP230 IXTP32 IXTP2
Drain-Source-Spannung (Vdss) 85 V 75 V 50 V 600 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 12A, 10V 4.2mOhm @ 50A, 10V 39mOhm @ 500mA, 10V 5.1Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 24A (Tc) 230A (Tc) 32A (Tc) 2A (Tc)
Paket Tube Tube Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2090 pF @ 25 V 10500 pF @ 25 V 1975 pF @ 25 V 240 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±15V ±20V ±15V ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 178 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

IXTP24P085T Datenblatt PDF

Laden Sie IXTP24P085T PDF -Datenblätter und IXYS -Dokumentation für IXTP24P085T - IXYS herunter.

Datenblätter
IXT(A,P)24P085T.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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